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三星聯(lián)合Synopsys宣布3nm GAA工藝已經流片成功
時間:2021-07-01 15:22:16

日前三星聯(lián)合Synopsys宣布3nm GAA工藝已經流片成功 ,這是全球首個GAA晶體管工藝流片,意義重大。

然而三星并沒有透露3nm GAA工藝何時量產,這是最關鍵的部分。

日前有分析師援引高通高管之前的一個表態(tài),認為2023年才會有3nm GAA工藝的芯片問世,但更現(xiàn)實的時間點是2024年,也是說要到3年后才能量產。

三星早在2019年公布3nm GAA工藝的PDK規(guī)范時就表示,預計3nm GAA工藝會在2020年底試產,2021年量產——現(xiàn)在來看,三星太樂觀了,3nm GAA工藝跳票了三年時間。

往好的方面看,3nm工藝用上GAA晶體管技術之后,變化還是值得期待的,與5nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。

壞消息是,三星3nm GAA工藝假如拖到2024年才能量產,那時候臺積電的2nm工藝也差不多量產了,同樣用上了GAA晶體管技術,三星超越臺積電的愿望恐怕要收到打擊了。

關鍵詞: 三星3nm GAA 臺積電 3nm GAA 流片

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