今年上半年就有日本要聯(lián)合美國研發(fā)2nm工藝的消息，現(xiàn)在終于確定下來了，日本政府將撥款3500億日元(約合171億人民幣)與美國合作建設先進半導體研發(fā)中心。

按照計劃，這個先進研發(fā)中心最快今年底成立，日美雙方會成立合資公司，目標是在2025年到2030年之間實現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。

由于日本本身并沒有2nm工藝這樣的研發(fā)能力，因此技術上還要靠美國公司，最可能的合作對象之一是IBM。

IBM雖然在幾年前退出了先進工藝制造，但技術研發(fā)實力很強，之前就全球首發(fā)展示了2nm工藝以及1nm碳納米管工藝等黑科技。

這是日本針對半導體復興的投資計劃的一部分，除了先進工藝之外，還會投資4500億日元建設先進工藝生產(chǎn)中心，3700億日元用于半導體材料供應。

而半導體也只是日本針對下一代科技布局的一部分，全部的計劃高達3萬億日元投資，其他內容還涉及機器人、電池等等關鍵領域。

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